CY9C6264-70SNI概述

　　CY9C6264-70SNI是一种高性能的CMOS非易失性RAM，采用先进的磁性RAM（MRAM）的过程。 MRAM非易失性存储器运行作为一种快速读取和写入RAM。它提供了十余年的数据保存，同时消除可靠性问题，功能缺点，系统设计的复杂性和电池供电的SRAM，EEPROM，FLash和FeRAM。它的快速写入和高写入周期耐力使得它优于其他类型的非易失性内存。

　　CY9C6264-70SNI特性

　　·100％的形式，配合，功能与8K× 8的兼容

　　·微功耗SRAM（CY6264）

　　- 快速读写访问：70ns

　　- 电压范围：4.5V - 5.5V操作

　　- 低运行功率：330mW（最大）

　　- 低待机功耗：495µW（最大）

　　- CE和OE功能的简易内存扩展

　　- TTL兼容的输入和输出

　　- 自动断电，当取消选择

　　·取代8K×8电池供电（BB）的SRAM，SRAM，EEPROM，FeRAM或FLASH存储器

　　·数据自动写入保护期间的功率损耗

　　·写周期耐力：>1015次

　　·数据保存：> 10年

　　·从外部磁场屏蔽

　　·额外的64字节的设备识别和跟踪

　　·温度范围

　　- 商业：0℃至70℃

　　- 工业： - 40℃至85℃

　　·JEDEC STD28引脚DIP（600 mil），28引脚（300 mil）SOIC，和28引脚TSOP-1封装。也可在450-mil（300 mil主体宽度）宽28引脚窄体SOIC。